Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Tell your friends about Wikiwand!

Gmail Facebook Twitter Link

Suggest as cover photo

Would you like to suggest this photo as the cover photo for this article?

Thank you for helping!

Your input will affect cover photo selection, along with input from other users.

Связанные понятия

Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать высокочастотные (ТГц диапазон) интегральные схемы, поскольку быстродействие определяется временем пролёта между эмиттером и коллектором или, другими словами, расстоянием между контактами, делённым на скорость электронов. В баллистическом транзисторе скорость.

Микрокана́льные пласти́ны (МКП) — вид изделий вакуумной микроэлектроники. Предназначены для работы в вакууме в качестве многоканальных детекторов, преобразователей и вторично-электронных усилителей пространственно-организованных потоков заряженных частиц и излучений. Основное применение — преобразователь и усилитель яркости изображения индивидуальных приборов ночного видения.

Оптические или фотонные вычисления — гипотетические вычислительные устройства, вычисления в которых производятся с помощью фотонов, сгенерированных лазерами или диодами.

Предусили́тель-корре́ктор, или усилитель-корректор (УК), или фо́нокорре́ктор — специализированный электронный усилитель тракта воспроизведения граммофонной записи, восстанавливающий исходный спектр записанного на пластинке звукового сигнала и усиливающий выходное напряжение головки звукоснимателя до типичного уровня линейного выхода — от 0,775 В (0 dBu) в бытовой аналоговой аппаратуре до 2 В (8 dBu) в цифровой и радиотрансляционной аппаратуре). Исторически звукозаписывающая промышленность использовала.

Содержание главы:

Рисунок 1. МОП транзистор с плавающим затвором.

Читайте также:  Как сделать плазменный резак своими руками

Это р-канальный нормально закрытый МОП прибор. Здесь же показаны вольтамперные характеристики транзистора в состоянии логических единицы и нуля (до и после записи информационного заряда). Плавающий затвор представляет собой область поликремния, окруженную со всех сторон диэлектриком, т.е. он электрически не связан с другими электродами и его потенциал "плавает". Обычно толщина нижнего диэлектрического слоя составляет десятки ангстрем. Это позволяет в сильном электрическом поле инжектировать электроны в плавающий затвор:

  • или сквозь потенциальный барьер Si-SiO2 путем квантово-механического туннелирования.
  • или над барьером "горячих" носителей, разогретых в поперечном или продольном поле при пробое кремниевой подложки.

Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Рисунок 2.Инжекция горячих электронов в диэлектрик МДП-транзистора и другие процессы, проходящие при лавинном пробое подложки.

Лавинный пробой подложки вблизи стока может приводить к неоднородной деградации транзистора и , как следствие, к ограничению по числу переключений элемента памяти.
МДП-транзистор с плавающим затвором может быть использован в качестве элемента памяти со временем хранения, равным времени диэлектрической релаксации структуры, которое может быть очень велико и в основном определяется низкими токами утечки через барьер Si-SiO 2 (Ф e =3.2 эВ). Такой элемент памяти обеспечивает возможность непрерывного считывания без разрушения информации, причем запись и считывание могут быть выполнены в очень короткое время.

Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Рисунок 3.Конструкция МНОП-транзистора. 1 — металлический затвор; 2,3 — области истока и стока соответственно; 4 — подложка.

10 -13 см 2 ) и большой их концентрации (

Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Транзистор с плавающим затвором принцип работы

  • ультрафиолетовым излучением с энергией квантов более 5.1 эВ (ширина запрещенной зоны нитрида кремния) через кварцевое окно.
  • подачей на структуру импульса напряжения, противоположного по знаку записывающему.

Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Рисунок 5. КМОП инвертор.

Статические ОЗУ. (СОЗУ) . Элементарной ячейкой статического ОЗУ с произвольной выборкой является триггер на транзисторах Т 1 -Т 4 (рис. 7) с ключами Т 5 -Т 8 для доступа к шине данных. Причем Т 1 -Т 2 — это нагрузки, а Т 3 -Т 4 — нормально закрытые элементы. Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Читайте также:  Как подключить электровыключатель двойной

Рисунок 7. Ячейка статического ОЗУ.

Динамические ОЗУ (ДОЗУ). В отличие от статических ЗУ, которые хранят информацию пока включено питание, в динамических ЗУ необходима постоянная регенерация информации, однако при этом для хранения одного бита в ДОЗУ нужны всего 1-2 транзистора и накопительный конденсатор (рис.8). Такие схемы более компактны. Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Транзистор с плавающим затвором принцип работы

Рисунок 11 Микросхема ППЗУ (К573РФ5)

Транзистор с плавающим затвором принцип работы

На рисунке 12 представлено взаимодействие К573РФ2(5) и К573РУ9, имеющих одинаковую организацию 2Кx8, с системной магистралью. Микросхема — дешифратор К555ИД7 посредством сигнала CS (выбор кристалла) позволяет выбрать положение ИМС ЗУ в адресном пространстве. Для данного случая это адреса 0000h-07FFh для ПЗУ(ROM) и 0800h-0FFFh для ОЗУ(RAM). Аналогично можно проследить и взаимодействие ИМС