Кт815 технические характеристики схема включения

Биполярный транзистор КТ815 часто использовался в советской бытовой технике выпуска 80-х годов прошлого века. Он был предназначен для работы как в ключевых так и в линейных схемах.
У транзистора КТ815 параметры читаются уже в названии:

• К – кремниевый;
• Т – транзистор;
• 8 – мощный, среднечастотный;
• 15 – номер разработки;
• А, Б, В, Г – буква определяющая максимальное обратное напряжение.

КТ815 является транзистором с n-p-n структурой. Существует комплементарный транзистор с p-n-p структурой – КТ814, на КТ815 и КТ814 часто строились схемы комплементарного эмиттерного повторителя.

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

Параметры	Обозначение	Значение
Напряжение эмиттер — база	Uэб max	5 В
Постоянный ток коллектора	Iк max	1,5 А
Импульсный ток коллектора	Iк max	3 А
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	10 Вт
Температура перехода	Tпер	150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр.среды = 25°С

Паpаметpы	Обозначение	Режимы измеpения	Min	Maх	Ед.измеp
Обратный ток коллектора	Iкбо	Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)	50	мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэо	Rэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)	100	мкА
Статический коэффициент передачи тока	h21э	Uкб=2 В, Iэ=0,15 А	40,30(Г)	275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас	Iк=0,5 А, Iб=50 мА	0,6	В

Напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max (Rэб ≤ 100 Ом)

• КТ815А, КТ815А9 — 40 В
• КТ815Б, КТ815Б9 — 50 В
• КТ815В, КТ815В9 — 70 В
• КТ815Г, КТ815Г9 — 100 В

Граничное напряжение коллектор — эмиттер Uкэо гр. (Iэ = 50 мА, tи = 0,3-1 мс)

• КТ815А, КТ815А9 — 30 В
• КТ815Б, КТ815Б9 — 45 В
• КТ815В, КТ815В9 — 65 В
• КТ815Г, КТ815Г9 — 85 В

Маркировка транзисторов КТ815

Первоначально на транзисторы наносилась полная маркировка типа (например КТ815Г), месяц и год выпуска. В дальнейшем оставили только цифру и буквы, например для КТ815Г — 5Г.

Зарубежные прототипы

• КТ815Б — BD135
• КТ815В — BD137
• КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше. Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц.
p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик.
Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

Зарубежные транзисторы тоже разные бывают. Заказывал у китайцев на Алиэкспресс BD139 и BD140, фактически аналоги КТ814 и КТ815. Замучился в пары подбирать по h21э. Чтобы можно было говорить о высокой повторяемости параметров, нужно покупать у западных поставщиков. Но я посмотрел розничные цены на BD139 и BD140 на Mouser Eletronics и мне с них поплохело. За рубежом точно так же для бытовухи транзисторы делаются в Китае, для военных и промышленных нужд в Европе и США. Первые как бог на душу положит, вторые строго по технологии и с тщательным выходным контролем. И в бытовую электронику вторые не попадут никогда, потому как нерентабельно.

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56.
И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Не нашел значения тепловых сопротивлений кристалл — корпус и корпус — охладитель для КТ815, вот для КТ644 (тоже биполярный и в том же корпусе КТ-27): тепловое сопротивление p-n переход – корпус RТп-к = 10°C/Вт, у полевых КП743 в том же корпусе RТп-к = 3,75°C/Вт. Плюс нужно учитывать тепловое сопротивление корпус — охладитель.
Допустим что суммарное тепловое сопротивление кристалл — охладитель 10°C/Вт. Тогда если транзистор будет рассеивать хотя бы 5Вт (а КТ815 может рассеивать до 10Вт), то при температуре охладителя 100°C, температура перехода будет уже 150 °C и кристалл транзистора выйдет из строя.

С этим температурным сопротивлением переход — корпус и корпус очень тонкий момент, вроде транзистор и может рассеивать большую мощность, но пока его не охлаждаешь жидким азотом, то и не может.

Кстати часто такие ошибки в курсовых проектах и даже дипломах встречаются, преподаватели обычно не вникают во всё, а вот на защите может и попасться на глаза.

А ведь действительно подмечено… 35 лет учись, а дураком помрешь! Спасибо, admin подсказал-уточнил. Специально начал ворошить паспорта старых документов и тю-тю такого параметра. Но, в принципе, интересно только теоретически. Практически не встречал охладителей до температуры кипения. Да и не процессоры они, чтоб им водяное охлаждение ставить… там уже тоже отказались от такой идеи.
А шли 515 как стандартные среднемощные, на пару-тройку ватт. Без нечего или маленькой пластинкой радиатора — 2X3 максимум.

У многих транзисторов есть как при постоянной и так при импульсной работе предельные параметры. Как мощность или ток коллекторы. Объясните при какой частоте или скважности, можно понять что наступил импульсный режим, Если переходный какой то интервал этих параметров. т.е. предельные параметры выше чем при постоянной работе но ниже чем в импульсном режиме.

Транзистор КТ 815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы. Параметры КТ 815 транзистора.

Транзисторы П213

Т ранзисторы П213 — германиевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металло-стекляный.
Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка П213.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока.
У транзистора П213 без буквы — от 20 до 50
У транзистора П213А — 20
У транзистора П213Б — 40

Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 30 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — 5 А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию: У транзисторов П213 0,15 мА.
У транзисторов П213А, П213Б — 1 мА.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе у транзисторов П213 — 20 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом- 10 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию, у транзисторов П213 — 0,3 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в — 0,4 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,75 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — 11,5 Вт(на радиаторе).

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Транзисторы КТ815

Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 1 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30.
У транзисторов КТ815Г — от 20.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А — 25 в.
У транзисторов КТ815Б — 45 в.
У транзисторов КТ815В — 60 в.
У транзисторов КТ815Г — 80 в.

Максимальный ток коллектора — 1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.

Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц — не более 800 Ом.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 1,2 в.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.

Граничная частота передачи тока — 3 МГц.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -"Гулливер".

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах "Азамат"(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Параметры транзистора КТ815

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
КТ815А	—	BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3 , DTL1651 *1 , 2SD146 *1 , 2SD236 *1
КТ815Б	—	BD167, MJE720, 2SC1419 *3 , BD233 *2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В	—	BD169, MJE721, KD235, BD815 *3 , BD167, 2N1481 *1 , 2N1479 *3 , 2N4922 *2 , 2N4911 *3 , 2SD147 *3
КТ815Г	—	BD818, MJE722, 2N1482 *1 , 2N1480 *1 , BD169 *2 , 2N4923, 2N4912 *3 , DT41653 *3
Структура	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P * K, τ max,P ** K, и max	КТ815А	—	10*	Вт
		КТ815Б	—	10*
		КТ815В	—	10*
		КТ815Г	—	10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f * h21б, f ** h21э, f *** max	КТ815А	—	≥3	МГц
		КТ815Б	—	≥3
		КТ815В	—	≥3
		КТ815Г	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб.	КТ815А	0.1к	40*	В
		КТ815Б	0.1к	50*
		КТ815В	0.1к	70*
		КТ815Г	0.1к	100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ815А	—	5	В
		КТ815Б	—	5
		КТ815В	—	5
		КТ815Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I * К , и max	КТ815А	—	1.5(3*)	А
		КТ815Б	—	1.5(3*)
		КТ815В	—	1.5(3*)
		КТ815Г	—	1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I * КЭR, I ** КЭO	КТ815А	40 В	≤0.05	мА
		КТ815Б	40 В	≤0.05
		КТ815В	40 В	≤0.05
		КТ815Г	40 В	≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h * 21Э	КТ815А	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ815Б	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ815В	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ815Г	2 В; 0.15 А	≥30*
Емкость коллекторного перехода	cк, с * 12э	КТ815А	5 В	≤60	пФ
		КТ815Б	5 В	≤60
		КТ815В	5 В	≤60
		КТ815Г	5 В	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р.	КТ815А	—	≤1.2	Ом, дБ
		КТ815Б	—	≤1.2
		КТ815В	—	≤1.2
		КТ815Г	—	≤1.2
Коэффициент шума транзистора	Кш, r * b, P ** вых	КТ815А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ815Б	—	—
		КТ815В	—	—
		КТ815Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)	КТ815А	—	—	пс
		КТ815Б	—	—
		КТ815В	—	—
		КТ815Г	—	—

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

«>