Цоколевка транзистора кт 819

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Параметры транзистора КТ819

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
КТ819АBD2921, TIP41, 2SC1354 *3 , SDT9307 *3 , SDT9304 *3 , SDT9301 *3 , TIP41 *2 , SSP82 *3
КТ819БBD202, BDT91, 40875, BD278A, BD278,

BD245, 40624 *2 , BD663, BD553 *2

КТ819ВBD201, BDT93, 2SC2098 *2 , 2N5493, 2N5492,

TIP3055T, STI3055T,

РН3055Т, MJE3055T,

BD501A *2 , 2N6099, 2N6098,

BDX71, BDT91, BD535 *2 , KSE3055T, BEL3055,

2N6099E

КТ819ГBD203, BDT95, BD711 *2 , BDW21C *1 , BLY17A *3 , TIP41С *2 , SSP82C *3 , SDT9309 *3 , SDT9306 *3 , SDT9303 *3 , 2SC681AYL *3 , 2SC681ARD *3 , 2N4130 *3КТ819АМBD181,BD130, MJ2801, 1561-0404, BD142, MJE1660 *1 , SDT9307 *2 , SDT9304 *2 , SDT9301 *2, BDX13, BLV38 *3 , 40251, 40325, 2N3055/5КТ819БМBD142, BDW21A, 2N6470, 2N3667 *2 , BD743 *1 , BDW51, BDW21 *2 , SDT9201, BD245 *3 , SDT9205 *2КТ819ВМBD182, BDX91, BD207 *3 , BDW21A *2 , BD907 *1 , BDS10 *1 , BDS10SMКТ819ГМBD183, 2N3055, 2N6371HV,

BD711 *3 , BDW21C *2 , SDT9208, 2N3055/7,

2N3055/6, 2N3239 *2 , 2N3238 *2 , BD909 *3 , BDW21B *2 , SDT9207 *2

КТ819А-1BD545C, MJE1660 *2 , BLV38 *3КТ819Б-1BD545B, 2N3667 *1 , 2N6253 *1 , BD278 *3 , BD278A *3 , BD743 *1 , BD705 *1КТ819В-1BD545A, 40363 *3 , BD207 *3 , BD501A *3 , BDS10SM *1 , BDS10 *1 , BD907 *1КТ819Г-1BD545, 2N3236 *1 , 2N3239 *3 , 2N3238 *3 , BD909 *1 , BD709 *3 , SDT9207 *3 , SM2176 *1Структура—n-p-nМаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P * K, τ max,P ** K, и maxКТ819А1.5; 60*ВтКТ819Б1.5; 60*КТ819В1.5; 60*КТ819Г1.5; 60*КТ819АМ2; 100*КТ819БМ2; 100*КТ819ВМ2; 100*КТ819ГМ2; 100*КТ819А-12; 100*КТ819Б-12; 100*КТ819В-12; 100*КТ819Г-12; 100*Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f * h21б, f ** h21э, f *** maxКТ819А(М,-1)≥3МГцКТ819Б(М,-1)≥3КТ819В(М,-1)≥3КТ819Г(М,-1)≥3Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб.КТ819А(М,-1)0.1к40*ВКТ819Б(М,-1)0.1к50*КТ819В(М,-1)0.1к70*КТ819Г(М)0.1к100*КТ819Г-10.1к90*Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ819А(М,-1)5ВКТ819Б(М,-1)5КТ819В(М,-1)5КТ819Г(М,-1)5Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I * К , и maxКТ819А10(15*)АКТ819Б10(15*)КТ819В10(15*)КТ819Г10(15*)КТ819АМ(-1)15(20*)КТ819БМ(-1)15(20*)КТ819ВМ(-1)15(20*)КТ819ГМ(-1)15(20*)Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I * КЭR, I ** КЭOКТ819А(М,-1)40 В≤1мАКТ819Б(М,-1)40 В≤1КТ819В(М,-1)40 В≤1КТ819Г(М,-1)40 В≤1Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э, h * 21ЭКТ819А(М,-1)5 В; 5 А≥15*КТ819Б(М,-1)5 В; 5 А≥20*КТ819В(М,-1)5 В; 5 А≥15*КТ819Г(М,-1)5 В; 5 А≥12*Емкость коллекторного переходаcк, с * 12эКТ819А(М,-1)5 В≤1000пФКТ819Б(М,-1)5 В≤1000КТ819В(М,-1)5 В≤1000КТ819Г(М,-1)5 В≤1000Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттеромrКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р.КТ819А(М)≤0.4Ом, дБКТ819Б(М)≤0.4КТ819В(М)≤0.4КТ819Г(М)≤0.4КТ819А-1≤1КТ819Б-1≤1КТ819В-1≤1КТ819Г-1≤1Коэффициент шума транзистораКш, r * b, P ** выхКТ819А(М,-1)Дб, Ом, ВтКТ819Б(М,-1)КТ819В(М,-1)КТ819Г(М,-1)Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)КТ819А(М,-1)≤2500**псКТ819Б(М,-1)≤2500**КТ819В(М,-1)≤2500**КТ819Г(М,-1)≤2500**
Читайте также:  Коронка по бетону 100мм

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов КТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.

Цоколевка транзистора кт 819Транзистор КТ819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор структуры n — p — n . Конструктивно транзистор выполняется в двух вариантах – в металлическом и пластиковом корпусах. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительной особенностью является дешевизна при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому данный полупроводниковый прибор нашел широкое распространение при производстве радиотехнической аппаратуры в республиках бывшего СССР и после его распада – в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, которые предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно применяется радиолюбителями при конструировании различных устройств.

Цоколевка транзистора

Цоколевка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как можно заметить, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1мм. При исполнении в пластиковом корпусе для крепления к охлаждающему радиатору предусмотрен один лепесток с отверстием 3,6 мм .

Основные параметры

Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1.

Цоколевка транзистора кт 819

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

  • допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
  • допустимый ток коллектора;
  • коэффициент усиления;
  • рабочая частота.
Читайте также:  Как просверлить и не намусорить

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Отечественные аналоги

Цоколевка транзистора кт 819Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Цоколевка транзистора кт 819Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Читайте также:  Складной стол для столярных работ

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Цоколевка транзистора кт 819

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

«>